經過快兩個月的電路了解,發現了幾個可改善的點,不外乎是更動變壓器以及mos fet 或者snubber 要更改.
以下就針對snubber的部分記錄.
電源板中可稱為snubber的,有三個部分.變壓器一次側,變壓器二次側,以及與MOS FET 並聯的電容.
首先說明MOSFET並聯電容,因為選用的電源IC是使用諧振技術,所以會和變壓器的電感,一次漏感以及MOS FET的Coss有關.漏感一般來說小會比較好,在變壓器方面可用三明治繞組方式降低漏感.
而當功能都正常以後,就要來看是否會有EMI的問題產生.
例如:在mosfet 旁並電容,emi可能會過但是供電電壓超過某個數值後,電路就不正常.
但是不並電容在高電壓也許可正常輸出電壓,可是emi又超標.
再來說明變壓器一,二次側的snubber
建議可以參考http://www.deyisupport.com/cfs-file.ashx/__key/telligent-evolution-components-attachments/00-24-01-00-00-06-00-97/snubber-design.pdf
二次側snubber的部分
我一開始先看看沒有snubber時的波形周期,然後在依建議事項加電容讓波形變成兩倍周期.
下圖是未加snuber的二次測波形,周期約42nS
下圖設計是使用2.2nF未加電阻的波形, 周期約101nS
而如果用1nF未加電阻,周期看來是90nF.所以不管哪個都和建議的兩倍周期差不多,那容值還是用2.2nF.
在來嘗試去更動電阻,下圖波形為一開始設計使用33 ohm配2.2nF.
後來依公式算出以10 ohm去測試,高電壓還是不工作.
一直測到以33k ohm高電壓才可正常工作.可是波形有明顯震盪看來會影響EMI.
下圖是1K ohm下的波形
PS:高壓和低壓的波形 二次測的波形都是一樣.所以在低壓下解就可以了.
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